上图结果是在25°C到320°C温度范围内获得。图A显示Ge不同的含量对PbTe的晶格导热系数有很大的影响。在整个温度范围内，随着Ge含量的降低，晶格导热系数降低。另外，在上述体系加入Si元素后，晶格导热系数进一步降低（图B）。当Ge和Si的混合比例不变，将Ge0.8Si0.2含量降低时，可以看到类似的行为(图C)。图D显示当Ge-/Ge- Si的比例为5%时能够得到最佳晶格导热系数。